Рис. Шкала электромагнитного излучения. Серым цветом отмечена область синхротронного излучения
Рис. Огромная стройка СКИФ
Рис. Различные исследовательские модули вокруг СКИФа
Рис. Принципиальная схема работы источника СИ — электронная пушка 1 эмитирует электроны и выводит их в линейный ускоритель 2, где частицы ускоряются по резонансному принципу, проходя через промежутки высокочастотного электрического поля. Вышедший из линейного ускорителя пучок направляется в бустер 3, вкотором электроны ускоряются до релятивистских скоростей. Далее пучок переходит в накопительное кольцо, основными элементами которого являются поворотные магниты 4, формирующие замкнутую траекторию движения электронов, радиочастотные резонаторы 5, восполняющие энергию пучка, которая тратится при испускании фотонов СИ, и вставные устройства 6. Поворотные магниты и вставные устройства служат длягенерации синхротронного излучения, кото- рое направляется в станцию СИ 7 и, пройдя через оптический хатч 9, попадает в экспериментальный хатч станции 10 с находящимся в нем объектом анализа.
Рис. Схема дифракции рентгеновского излучения на атомных плоскостях кристалла и иллюстрация угловой расходимости пучка
Рис. Монохроматор с канальной огранкой: β – угол наклона грани
Рис. Монохроматор «бабочка» с тремя дифрагирующими гранями. Вид на кристалл с двух разных сторон
Рис. Демонстрация мозаичности кристалла на примере пяти блоков, разориентированных друг относительно друга под небольшими углами
Рис. Крупногабаритные высокосовершенные монокристаллы кремния производства НПО КРИТ
Рис. Установка для выращивания крупногабаритных монокристаллов кремния УВК-300 разработки НПО КРИТ
Основные электрофизические параметры кремния представлены в табл. Свойства кремния (Si):