Мы изготавливаем заготовки из монокристаллического кремния, для компонентов оптических приборов, работающих в диапазоне 3−5 мкм:
Мы предлагаем заготовки для кремниевых элементов, работающих в оптическом и рентгеновском диапазонах.
Обеспечиваем качество, долговечность и эффективность Вашего производства.
Характеристики выпускаемого кремния:
Мы используем собственный кремний оптический, выращенный у нас методом Чохральского (Cz-Si).
Выбор материала осуществляется вместе c заказчиком и зависит от рабочего диапазона длин волн, толщины элемента и специфики применения. Мы используем кристаллы кремния (в зависимости от технологии изготовления, типа проводимости и сопротивления), чтобы достичь наилучшего пропускания в требуемой области спектра.
Нам часто задают вопрос о пригодности кремния, выращенного методом Чохральского, для оптических применений. В общем случае, оптический кремний, выращенный методом Чохральского, является слабо легированным материалом (удельное сопротивление 20 - 40 Ом·см). Действительно, для ухода от полосы поглощения в области 8-10 мкм, кремний может быть изготовлен гораздо более дорогим методом бестигельной зонной плавки, что теоретически обеспечивает лучшую прозрачность в диапазоне выше 10 мкм. Такой высокоомный кремний имеет длинноволновую полосу пропускания в диапазоне 30 - 100 мкм.
Однако, в диапазоне от 3 до 5 микрон нет практически никакой разницы в пропускании материалов всех используемых типов и сопротивлений. Также все типы материалов имеют фононные пики абсорбции, обусловленные решеточным поглощением в диапазоне от 6.5 до 25 микрон. Кремний, выращенный методом Чохральского, имеет пики на длинах волн 5.8, 9.1 и 19.4 микрон, индуцированные кислородным поглощением.
Обычно кремний, выращенный методом Чохральского, считается материалом для систем, работающих в средней ИК-области спектра от 3 до 5 микрон. Но фактически этот материал может использоваться в гораздо более широком диапазоне длин волн от 1.2 микрон до 100 микрон. Кроме того, решёточное поглощение, также как и кислородное поглощение, зависит от оптического пути луча внутри элемента (иными словами - от толщины элемента) и не зависит от сопротивления. Таким образом, толщина элемента является достаточно критичным параметром в диапазоне 6-25 микрон.
Для образца кремния, выращенного методом Чохральского, толщиной 5 мм среднее пропускание в диапазоне 8-10 микрон меньше 32% (для кремния, выращенного методом зонной плавки, около 38%) и только 18% в диапазоне 10-14 микрон (одинаково для кремния, выращенного методом зонной плавки и методом Чохральского).
Однако, кремниевые окна толщиной менее, либо около 1 мм могут быть успешно использованы во втором «атмосферном окне» от 7 до 14 микрон. В этом диапазоне среднее пропускание окна из кремния, выращенного методом Чохральского, с толщиной 0.5 мм превышает 51%. В диапазоне длин волн, начиная с 21 микрона, нет разницы в пропускании между кремнием, выращенным методом Чохральского и методом зонной плавки с одинаковым сопротивлением и типом проводимости.
Рис. Заготовки для кремниевой оптики производства компании КРИТ
Другие компоненты специального назначения:
- Светоделители из кремния
- Оптические фильтры из кремния
- Оптические зеркала из кремния
Рис. Установка для выращивания монокристаллов кремния диаметром до 310 мм
УВК-300 конструкции КРИТ
Рис. Слиток кремния, выращенный НПО КРИТ на установке УВК-300
Рис Концентрация кислорода в расплаве кремния и кристаллах кремния для различных типов нагревателей, используемых в НПО КРИТ.
Рис. Крупногабаритная заготовка оптического кремния пр-ва КРИТ
Известно, что за счет меньшей концентрации кислорода (1016 см-3 вместо порядка 1018 см-3 в кремнии, выращенном методом Чохральского) кремний, выращенный гораздо более дорогим методом зонной плавки, не имеет выраженных кислородных пиков и может использоваться для более критичных применений. Однако, c помощью различных технологических приемов можно снизить содержание кислорода в кремнии, выращенном методом Чохральского.
В настоящее время существуют дорогостоящие методы контроля уровня кислорода в CZ-кристалле кремния, такие как использование магнитов и т.п.
Мы используем и объединяем основные технологические подходы к снижению уровня кислорода при получении кремния по Чохральскому: контроль растворения кислорода в тигле и управление скоростью испарения на свободной поверхности расплава с помощью таких параметров, как скорость потока аргона и вращение затравки и тигля. Например, увеличение скорости потока аргона снижает концентрацию кислорода из-за усиленного испарения, в то время как корректировка положения уровня расплава относительно нагревателя влияет на растворение кислорода, при этом более низкие уровни расплава приводят к более высоким концентрациям. Мы также используем специальную конструкцию нагревателя для снижения и контроля концентрации кислорода во время процесса CZ без дополнительных затрат. (Рис.)
Максимальные размеры наших кристаллов, используемых для изготовления оптики:
- Si, выращенный методом Чохральского - 310 мм;
- Si, выращенный методом зонной плавки - 100 мм;
НПО «КРИТ» имеет необходимый опыт и запас материалов для быстрой поставки кристаллов и заготовок из оптического кремния, полученного методом Чохральского. Мы используем собственные установки для выращивания кристаллов и имеем широкие возможности для их последующей механической обработки.
Мы можем изготовить любые кристаллы вплоть до диаметра 310 мм и заготовки по чертежам заказчика. Если нужной вам продукции нет на наших обширных складах, то кристаллы кремния c необходимыми параметрами будут оперативно получены на нашем производстве под контролем собственного отдела технического контроля.
Свяжитесь с нами для заказа и консультации!
НПО «КРИТ» – Ваш надежный партнер!